仕様 IPG16N10S4L61AATMA1

品番 : IPG16N10S4L61AATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET 2N-CH 8TDSON
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 90µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 845pF @ 25V
パワー-最大 : 29W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8-10
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 8TDSON
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1143145 個
参考価格
USD 0
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