IPB048N06LGATMA1 データシート
仕様 IPB048N06LGATMA1
品番 : IPB048N06LGATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 270µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 7600pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
9238 個
参考価格
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