IPAN60R650CEXKSA1 データシート
仕様 IPAN60R650CEXKSA1
品番 : IPAN60R650CEXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 9.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 20.5nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 440pF @ 100V
FET機能 : Super Junction
消費電力（最大） : 28W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
671765 個
参考価格
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