GP1M009A020HG データシート
仕様 GP1M009A020HG
品番 : GP1M009A020HG
メーカー : Global Power Technologies Group
説明文 : MOSFET N-CH 200V 9A TO220
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 8.6nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 414pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 52W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
17592 個
参考価格
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| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
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| Intel | IC CPLD 512MC 10NS 208QFP | ||
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