仕様 FQA8N100C

品番 : FQA8N100C
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.45 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3220pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 225W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
97820 個
参考価格
USD 0
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