仕様 DMT8012LFG-13

品番 : DMT8012LFG-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明文 : MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.5A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1949pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.2W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI3333-8
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1019105 個
参考価格
USD 0
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