DMT3011LDT-7 データシート
仕様 DMT3011LDT-7
品番 : DMT3011LDT-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明文 : MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 8A, 10.7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 13.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 641pF @ 15V
パワー-最大 : 1.9W
動作温度 : -55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : V-DFN3030-8 (Type K)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-DMT3011LDT-7
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1157780 個
参考価格
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