DMN2600UFB-7 データシート
仕様 DMN2600UFB-7
品番 : DMN2600UFB-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明文 : MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 0.85nC @ 4.5V
Vgs（最大） : ±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 70.13pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 540mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 3-DFN1006 (1.0x0.6)
パッケージ/ケース : 3-UFDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-DMN2600UFB-7
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
6587865 個
参考価格
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