DMJ70H1D3SH3 データシート
仕様 DMJ70H1D3SH3
品番 : DMJ70H1D3SH3
メーカー : Diodes Incorporated
説明文 : MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 13.9nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 351pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 41W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-251
パッケージ/ケース : TO-251-3 Stub Leads, IPak
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-DMJ70H1D3SH3
メーカー
簡単な説明
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
491595 個
参考価格
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