仕様 CSD86330Q3D

品番 : CSD86330Q3D
メーカー : Texas Instruments
説明文 : MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 920pF @ 12.5V
パワー-最大 : 6W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerLDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-LSON (3.3x3.3)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
538710 個
参考価格
USD 0
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