CSD85312Q3E データシート
仕様 CSD85312Q3E
品番 : CSD85312Q3E
メーカー : Texas Instruments
説明文 : MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET機能 : Logic Level Gate, 5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 39A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 15.2nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2390pF @ 10V
パワー-最大 : 2.5W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-VSON (3.3x3.3)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-CSD85312Q3E
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1223455 個
参考価格
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