CSD23202W10 データシート
仕様 CSD23202W10
品番 : CSD23202W10
メーカー : Texas Instruments
説明文 : MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 3.8nC @ 4.5V
Vgs（最大） : -6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 512pF @ 6V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-DSBGA (1x1)
パッケージ/ケース : 4-UFBGA, DSBGA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-CSD23202W10
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
3176670 個
参考価格
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