CSD19506KTT データシート
仕様 CSD19506KTT
品番 : CSD19506KTT
メーカー : Texas Instruments
説明文 : MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 200A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 156nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 12200pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 375W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-CSD19506KTT
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
161515 個
参考価格
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