BSZ120P03NS3EGATMA1 データシート
仕様 BSZ120P03NS3EGATMA1
品番 : BSZ120P03NS3EGATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 12 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.1V @ 73µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs（最大） : ±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3360pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.1W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1736830 個
参考価格
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| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 144QFP | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 384MC 5NS 176TQFP | ||
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