BSZ110N08NS5ATMA1 データシート
仕様 BSZ110N08NS5ATMA1
品番 : BSZ110N08NS5ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.8V @ 22µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 18.5nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1300pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1162240 個
参考価格
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