BSP89H6327XTSA1 データシート
仕様 BSP89H6327XTSA1
品番 : BSP89H6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 4SOT223
シリーズ : SIPMOS®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 240V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 350mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.8V @ 108µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 6.4nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 140pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT223-4
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 4SOT223
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1790150 個
参考価格
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| Intel | IC CPLD 64MC 7.5NS 44TQFP | ||
| Intel | IC CPLD 128MC 5NS 100FBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 7.1NS 256BGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 7.1NS 256BGA |