BSO615CGHUMA1 データシート
仕様 BSO615CGHUMA1
品番 : BSO615CGHUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
シリーズ : SIPMOS®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.1A, 2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 20µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 22.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 380pF @ 25V
パワー-最大 : 2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-DSO-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1022690 個
参考価格
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