BSC010NE2LSIATMA1 データシート
仕様 BSC010NE2LSIATMA1
品番 : BSC010NE2LSIATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 38A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.05 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4200pF @ 12V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 96W (Tc)
動作温度 : -
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
581315 個
参考価格
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