APTM10HM09FT3G データシート
仕様 APTM10HM09FT3G
品番 : APTM10HM09FT3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明文 : MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 139A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 350nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 9875pF @ 25V
パワー-最大 : 390W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP3
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
9152 個
参考価格
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