APTGTQ200DA65T3G データシート
仕様 APTGTQ200DA65T3G
品番 : APTGTQ200DA65T3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明文 : POWER MODULE - IGBT
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Boost Chopper
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） : 650V
電流-コレクター（Ic）（最大） : 200A
パワー-最大 : 483W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC : 2.2V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ（最大） : 200µA
入力容量（Cies）@ Vce : 12nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3F
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
POWER MODULE - IGBT
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
15016 個
参考価格
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