仕様 APT80SM120S

品番 : APT80SM120S
メーカー : Microsemi Corporation
説明文 : POWER MOSFET - SIC
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 235nC @ 20V
Vgs(最大) : +25V, -10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 625W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D3Pak
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
POWER MOSFET - SIC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
23600 個
参考価格
USD 0
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