仕様 AFT09S200W02GNR3

品番 : AFT09S200W02GNR3
メーカー : NXP USA Inc.
説明文 : FET RF 70V 960MHZ PLD
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : LDMOS
周波数 : 960MHz
利得 : 19.2dB
電圧-テスト : 28V
定格電流 : -
雑音指数 : -
電流-テスト : 1.4A
電力出力 : 56W
電圧-定格 : 70V
パッケージ/ケース : OM-780-2
サプライヤーデバイスパッケージ : OM-780-2
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
FET RF 70V 960MHZ PLD
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
8632 個
参考価格
USD 0
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