2SK1341-E データシート
仕様 2SK1341-E
品番 :
2SK1341-E
メーカー :
Renesas Electronics America
説明文 :
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
980pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-2SK1341-E
簡単な説明
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
16968 個
参考価格
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 9NS 208QFP |